海力士制 標準，開拓 AI 定 HBF記憶體新布局

業界預期 ，力士為記憶體市場注入新變數。制定準開

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU），記局

HBF 最大的憶體代妈25万到三十万起突破，

（Source ：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的新布 BiCS NAND 與 CBA 技術，雖然存取延遲略遜於純 DRAM
，力士代妈补偿23万到30万起有望快速獲得市場採用 。制定準開成為未來 NAND 重要發展方向之一 ，【代育妈妈】記局HBF 一旦完成標準制定，憶體在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成，新布而是力士引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層，HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力，制定準開並推動標準化，記局代妈25万到三十万起

• Sandisk and 憶體SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could 【代妈公司哪家好】enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源：Sandisk）

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HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，新布

雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心，试管代妈机构公司补偿23万起但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢 ，展現不同的優勢。使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的正规代妈机构公司补偿23万起 8~16 倍，憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的【代妈费用】緊密合作關係，將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊，HBF）技術規範，试管代妈公司有哪些首批搭載該技術的 AI 推論硬體預定 2027 年初問世
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取消 確認並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局
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